SAMによる均一無電解ニッケルメッキシード層により、ウルトラ微細構造・高アスペクト比のマスターモールドより
精密金属電鋳スタンパー製造が可能。

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  アルミナホール
  孔径 約70nm

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  アルミナホールをマスターとして
  作成したＮｉ精密電鋳
  ピラー径 93-100 nm

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  アルミナホールをマスターとして
  作成したＮｉ精密電鋳
  ピラー径　100nm
  ピラー高さ 728 nm　以上

• ■超高アスペクト比の精密金属電鋳スタンパーを実現する技術
• ■早稲田大学との共同研究技術（製造特許出願中）

将来のアプリーケーション分野
光学系、バイオ系、電子部品、LED、太陽電池、半導体、MEMS, 高機能材料　等